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该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS）、9A的连续漏极电流（ID）以及306mΩ的导通电阻（RDS(on)），栅源电压（VGS）工作范围为-8V至@0V。器件利用碳化硅材料特性，在高频开关条件下表现出较低的导通与开关损耗，适用于高效率电源、可再生能源接入设备及对热性能和空间布局要求较高的电力电子系统。
