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该N沟道碳化硅MOSFET的额定漏极电流为30A，漏源电压耐受能力达650V，导通电阻为94mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至@5V。器件基于碳化硅材料，具备高击穿电场和低导通损耗特性，适用于高频、高效率的电源转换场合，在紧凑型电源模块及对热管理要求较高的电力电子系统中可实现稳定可靠的开关性能。