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该N沟道碳化硅MOSFET额定漏极电流为36A，漏源电压耐受能力达650V，导通电阻为94mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至@5V。基于碳化硅材料特性，器件在高频开关条件下展现出较低的导通与开关损耗，适用于高效率电源转换、可再生能源系统及高频电力电子设备。其宽栅压容限有助于提升驱动兼容性与运行稳定性。