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该N沟道碳化硅MOSFET具有30A的连续漏极电流和650V的漏源击穿电压，导通电阻为94mΩ，栅源电压工作范围为-10V至@5V。得益于碳化硅材料特性，器件在高频开关条件下仍保持较低的导通与开关损耗，适用于高效率、高功率密度的电源系统。其电气参数适合用于对热性能和能效有较高要求的电力电子场合。