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该碳化硅场效应管（MOSFET）为N沟道结构，最大漏极电流ID为30A，漏源击穿电压VDSS达650V，导通电阻RDS(ON)为94mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至@5V。器件利用碳化硅材料特性，在高电压与大电流条件下仍保持较低的导通损耗和良好的开关性能，适用于对效率和热管理要求较高的电力转换系统。其宽栅压范围增强了驱动兼容性，适合多种拓扑结构中的高频开关应用。