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该N沟道场效应管（MOSFET）具备120A的连续漏极电流（ID）和100V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）仅为4.1毫欧。低导通电阻有效降低导通状态下的功率损耗，适用于对效率和热性能要求较高的大电流开关应用。器件可在高频率操作下保持稳定，适合用于电源转换、电机驱动及各类需要高效能功率开关的电子系统中。
