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该N沟道碳化硅MOSFET具有20A的漏极电流能力，漏源击穿电压VDSS为650V，导通电阻RDS(ON)为160mΩ，栅源电压VGS工作范围为-5V至!6V。得益于碳化硅材料特性，器件在高频开关条件下表现出较低的开关损耗与良好的热稳定性。适用于高效率电源转换、光伏逆变、储能系统及服务器电源等对功率密度和能效有较高要求的场合。