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该N沟道碳化硅MOSFET具有25A的连续漏极电流能力，漏源电压额定值为800V，导通电阻为165mΩ，栅源电压工作范围为-8V至@0V。得益于碳化硅材料特性，器件在高电压应用中展现出较低的导通与开关损耗，并支持高频操作。其负向栅压容限有助于增强关断可靠性，适用于对能效、热管理和空间布局有严格要求的电源转换系统。