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该N沟道碳化硅MOSFET的漏极电流ID为18A，漏源击穿电压VDSS为650V，导通电阻RDS(ON)为94mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至@5V。器件基于碳化硅材料，具备低导通损耗与高开关速度特性，适用于高效率、高频率的电源转换系统，如服务器电源、光伏逆变器及储能设备中的功率开关环节，有助于提升整体能效并简化热管理设计。