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该N沟道碳化硅MOSFET额定漏极电流为32A，漏源击穿电压达650V，导通电阻为94mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至@5V。基于碳化硅材料特性，器件在高频开关条件下表现出较低的开关损耗与导通损耗，同时具备良好的热稳定性。适用于高效率电源、可再生能源转换系统及对功率密度和散热性能有较高要求的电力电子应用场合。