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该N沟道碳化硅MOSFET具有800V的漏源击穿电压（VDSS）和11A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(ON)）为165mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至@0V。器件基于碳化硅工艺，在高电压应用中展现出较低的导通损耗和优异的开关特性，同时具备良好的高温工作能力。适用于需要高效率、高频率运行的电源转换系统，可有效支持对功率密度和热管理有较高要求的电子设备。
