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该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS）和9A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(on)）为306mΩ。栅源驱动电压范围为-8V至@0V，兼容常规驱动电路并具备良好的栅极耐压能力。得益于碳化硅材料的特性，器件在高频工作时表现出较低的开关损耗与优异的热性能，适用于高效率电源、小型化适配器及对能效和散热有较高要求的电力电子系统。
