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该N沟道碳化硅MOSFET具备800V漏源耐压（VDSS）和20A连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(on)）典型值为165mΩ，有助于降低导通损耗。栅源电压范围为-10V至@5V，支持安全可靠的栅极驱动操作。采用碳化硅材料，器件具有优异的高频开关特性、耐高温性能及较低的开关损耗。适用于高功率密度电源系统，如大功率开关电源、高压DC-DC转换模块、可再生能源发电逆变装置及储能系统的功率级设计，适合在高效率、高频率的电力变换场景中应用。
