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该N沟道碳化硅MOSFET具有105A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为650V，导通电阻低至26mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至@5V。器件采用碳化硅材料，具备优异的高频特性和高温稳定性，在高效率电源转换、可再生能源系统及高性能电力电子设备中表现出色。其低导通损耗和快速开关特性有助于提升整体系统能效与功率密度。