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该N沟道碳化硅MOSFET具有32A的连续漏极电流和650V的漏源击穿电压，导通电阻为94mΩ，在栅源电压范围-10V至@5V内稳定工作。得益于碳化硅材料的特性，器件在高频开关应用中表现出较低的开关损耗与导通损耗，适用于对效率和热管理要求较高的电源转换场景。其坚固的结构支持在严苛电气环境中可靠运行，适合用于高功率密度的电力电子系统。