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该N沟道碳化硅MOSFET额定漏极电流为32A，漏源电压耐受能力达650V，导通电阻为94mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至@5V。器件基于碳化硅工艺，在高频开关条件下表现出较低的导通与开关损耗，适用于高效率电源转换、可再生能源系统及高性能计算设备中的功率管理模块，能够有效支持紧凑型电路设计与高能效运行需求。