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该N沟道碳化硅MOSFET具备25A的连续漏极电流、800V的漏源击穿电压，导通电阻为165mΩ，栅源电压工作范围为-8V至@0V。其采用碳化硅材料，具有高耐压能力与优异的高频开关特性，在高温或高效率要求的电源系统中表现稳定，适用于如服务器电源、光伏逆变器、不间断电源及高频率DC-DC转换器等应用场景。