-------<点击了解更多 + 购买>-------
该N沟道碳化硅MOSFET具备800V漏源击穿电压（VDSS）和20A连续漏极电流（ID）能力，导通电阻（RDS(on)）典型值为165mΩ，可有效降低导通损耗。栅源电压范围-10V至@5V，支持稳定驱动与可靠关断。采用宽禁带半导体材料，具有优异的高频开关特性、高温工作能力及低反向恢复电荷，适用于高效率功率变换架构。典型使用场景包括大功率开关电源、直流变换装置、储能系统中的逆变单元以及高功率密度电源模块设计。
