-------<点击了解更多 + 购买>-------

该碳化硅场效应管为N沟道结构，最大漏极电流ID为37A，漏源击穿电压VDSS达650V，导通电阻RDS(ON)为94mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至@5V。器件基于碳化硅材料，具备高耐压、低导通损耗及优异的高频特性，适用于对效率和功率密度要求较高的电源转换系统，可在高开关频率下保持较低的热损耗，提升整体能效表现。