-------<点击了解更多 + 购买>-------

该N沟道碳化硅MOSFET具有37A的连续漏极电流和650V的漏源击穿电压，导通电阻典型值为75mΩ，在栅源电压范围-8V至@0V内稳定工作。得益于碳化硅材料的特性，器件在高频开关应用中表现出较低的导通与开关损耗，适用于对效率和热管理要求较高的电源转换场景。其低RDS(on)有助于减小导通功耗，提升系统整体能效，同时支持紧凑型电路布局。