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该N沟道碳化硅MOSFET具备37A的漏极电流能力，漏源击穿电压为650V，导通电阻为94mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至@5V。基于碳化硅材料的特性，器件在高电压、高频率工作条件下仍能保持较低的导通与开关损耗，适用于对能效和功率密度有较高要求的电源转换及电力电子应用，有助于简化散热设计并提升系统整体效率。