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该N沟道场效应管（MOSFET）具有75A的连续漏极电流（ID）和100V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至6.4毫欧。器件适用于高效率电源转换及大电流开关场景，其低导通电阻有助于减少导通损耗，提升系统整体能效。由于具备较高的电流承载能力和适中的耐压等级，可广泛用于各类直流供电系统中的功率控制与管理环节。
