CDMSJ22010-650 SL_TO-220F_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)

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品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: TO-220F
类别: 碳化硅场效应管(MOSFET)
最小包装: 50/管装
参数1: ID:15A
参数2: VDSS:650V
参数3: RDON:260mR
参数4: VGS:-5~+16V
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 张婉仪
联系电话: 189 2937 3249
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

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本款N沟道碳化硅场效应管具有15A的漏极电流(ID)和650V的漏源电压(VDSS),导通电阻为260mΩ,支持-5V至!6V的栅源电压(VGS)范围,确保良好的开关控制与器件可靠性。得益于碳化硅材料的高临界电场和热导率,该器件具备优异的耐压性能、高频工作能力及高温稳定性。适用于高功率密度的电力电子系统,如高效能电源转换装置、可再生能源发电中的逆变设备、高压直流变换模块及紧凑型开关电源设计,适合对系统效率和热管理有较高要求的应用场景。

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