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该N沟道碳化硅MOSFET具备30A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为650V，导通电阻典型值为94mΩ，在栅源驱动电压范围-10V至@5V内稳定工作。得益于碳化硅材料特性，器件在高频开关条件下仍能保持较低的导通与开关损耗，适用于对效率和功率密度要求较高的电力转换场景。其高耐压与低导通电阻的结合，有助于简化散热设计并提升系统整体性能。