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该N沟道碳化硅MOSFET额定漏极电流为25A，漏源电压耐压达800V，导通电阻为165mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至@0V。器件基于碳化硅材料，具备低导通损耗与优异的开关特性，适用于高效率电源转换、可再生能源系统及高频电力电子设备。其宽电压驱动能力增强了栅极控制的灵活性，同时在高温或高频率工作条件下仍能保持稳定性能。