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该N沟道碳化硅MOSFET具备25A的漏极电流能力，漏源击穿电压为800V，导通电阻为165mΩ，栅源电压工作范围为-8V至@0V。器件利用碳化硅材料特性，具有优异的高频开关性能和较低的导通损耗，适用于高效率电源、光伏逆变器、不间断电源及高频变换器等应用场合，在提升系统效率的同时有助于降低整体热设计负担。