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该N沟道碳化硅MOSFET具有800V的漏源击穿电压（VDSS）和25A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(ON)）为165mΩ，栅源电压范围为-8V至@0V。器件采用碳化硅材料，具备高耐压、低导通损耗及优异的高温工作能力，适用于对效率和功率密度要求较高的电力转换场景。其宽栅压范围增强了驱动兼容性，同时N沟道结构便于实现高效的开关控制，在高频运行条件下仍能保持稳定性能。
