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该N沟道碳化硅MOSFET具有25A的漏极电流能力，漏源电压额定值为800V，导通电阻为165mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至@0V。器件利用碳化硅材料的高击穿电场与低导通损耗特性，在高频开关条件下仍能维持高效运行，适用于对体积、效率及热管理有较高要求的电源转换场合，例如通信电源、光伏逆变系统以及高密度开关电源等应用环境。