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该N沟道碳化硅MOSFET额定漏极电流为25A，漏源击穿电压达800V，导通电阻为165mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至@0V。器件基于碳化硅材料，具备高耐压能力与较低的导通损耗，在高频开关应用中表现出良好的效率和热稳定性。其宽栅压范围有助于提升驱动电路的适配性，适用于对功率转换效率和系统紧凑性有较高要求的场合。