-------<点击了解更多 + 购买>-------

该N沟道碳化硅MOSFET具备25A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为800V，导通电阻典型值为165mΩ。其栅源电压范围为-8V至@0V，适用于对开关效率和热性能要求较高的电力电子系统。得益于碳化硅材料特性，器件在高频工作条件下仍能保持较低的开关损耗，适合用于高效率电源转换、可再生能源逆变器及各类中高压功率管理场景。