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该N沟道碳化硅MOSFET具有25A的漏极电流额定值和800V的漏源击穿电压，导通电阻为165mΩ。其栅源电压范围为-8V至@0V，支持较宽的驱动电平，有助于提升开关可靠性并降低误触发风险。器件采用碳化硅材料，具备高耐压、低导通损耗及优异的高温工作能力，适用于高频电源转换、可再生能源系统以及高效率电力电子设备中的功率开关环节。