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该N沟道碳化硅MOSFET额定漏极电流为25A，漏源电压耐压达800V，导通电阻为165mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至@0V。器件基于碳化硅材料，具备优异的高温稳定性和高频开关能力，导通与开关损耗较低。适用于高效率电源转换场合，如通信电源、光伏逆变系统、不间断电源及高频DC-DC变换器等应用，可在紧凑布局中实现更高的功率密度与系统效率。