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该N沟道碳化硅MOSFET具备20A的连续漏极电流能力，漏源击穿电压为800V，导通电阻为165mΩ。其栅源电压工作范围为-10V至@5V，适用于需要高耐压与高效开关性能的电力电子电路。碳化硅材料特性使其在高频操作下仍保持较低的导通与开关损耗，适合用于高功率密度的电源系统、可再生能源转换装置以及对热管理和效率有严格要求的场合。