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该N沟道碳化硅MOSFET的漏极电流ID为25A，漏源击穿电压VDSS为800V，导通电阻RDS(ON)为165mΩ，栅源电压VGS范围为-8V至@0V。器件利用碳化硅材料特性，在高电压应用中展现出优异的开关性能和热稳定性。适用于对效率、体积和散热有较高要求的电源转换场合，如高频开关电源、光伏逆变系统及高功率密度电能变换模块，能够在严苛电气环境下保持可靠运行。