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本款N沟道碳化硅MOSFET具有800V的漏源击穿电压（VDSS）和20A的连续漏极电流（ID）能力，导通电阻（RDS(on)）典型值为165mΩ，有助于减少导通损耗并提升系统效率。栅源电压范围为-10V至@5V，支持稳定驱动与负压关断，增强工作可靠性。得益于碳化硅材料的宽禁带特性，器件具备优异的高温耐受性与快速开关性能。适用于高功率密度、高频率的电力转换应用，如高效能电源模块、可再生能源逆变装置、储能系统功率级及大功率DC-DC变换器设计。
