-------<点击了解更多 + 购买>-------

该N沟道碳化硅MOSFET的漏极连续电流为25A，漏源击穿电压达800V，导通电阻为165mΩ。栅源电压工作范围为-8V至@0V，支持标准逻辑电平驱动并具备良好的抗误触发能力。器件利用碳化硅材料特性，在高电压、高频开关条件下保持较低的导通与开关损耗，适用于高效率电源转换、可再生能源系统及高性能电力电子设备中的功率开关环节。