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该N沟道碳化硅MOSFET具备800V的漏源击穿电压（VDSS）和20A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(on)）典型值为165mΩ，可有效降低导通损耗。栅源电压范围为-10V至@5V，支持稳定可靠的栅极驱动控制。基于碳化硅材料的优异特性，器件具有较高的开关速度和耐温能力，适用于高功率密度的电源转换系统。广泛用于高效直流变换器、高压逆变装置及大功率开关电源模块，在高频工作条件下仍能保持良好的热性能与电气稳定性。
