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该碳化硅场效应管为N沟道结构，最大漏极电流ID为25A，漏源击穿电压VDSS达800V，导通电阻RDS(ON)为165mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至@0V。器件采用碳化硅材料，具备高耐压与低导通损耗特性，适用于对效率和热性能要求较高的电力转换场景。其宽栅压范围增强了驱动兼容性，适合在高频开关条件下稳定运行，满足多种电源管理与能量转换系统的设计需求。