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该N沟道碳化硅MOSFET具有25A的连续漏极电流能力，漏源击穿电压为800V，导通电阻为165mΩ，栅源电压工作范围为-8V至@0V。得益于碳化硅材料的特性，器件在高频开关条件下仍能保持较低的导通与开关损耗，适用于对效率和热性能要求较高的电源转换场合。其电气参数适合用于紧凑型、高功率密度的电力电子系统中，支持稳定可靠的运行表现。