-------<点击了解更多 + 购买>-------

本款N沟道碳化硅MOSFET具有800V漏源电压（VDSS）和20A连续漏极电流（ID）能力，导通电阻低至165mΩ，有助于减少导通损耗并提升系统效率。栅源电压范围为-10V至@5V，支持稳定可靠的栅极控制。依托碳化硅材料的高耐压与低损耗特性，该器件可在高频、高温环境下保持优异性能。适用于高压功率转换应用，如高效开关电源、大功率DC-DC变换模块、可再生能源发电系统中的逆变单元以及高密度电源适配器等场合。