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该N沟道碳化硅MOSFET具备11A的漏极电流能力，漏源击穿电压为800V，导通电阻为165mΩ，栅源电压工作范围为-8V至@0V。器件利用碳化硅材料的高击穿场强与低导通损耗特性，适合在高频、高效率的电源拓扑中使用，如开关电源、光伏逆变器及高密度功率转换模块。其参数组合有助于降低系统能耗并简化热管理设计。