-------<点击了解更多 + 购买>-------

该N沟道碳化硅MOSFET的连续漏极电流为99A，漏源击穿电压达650V，导通电阻为26mΩ，栅源电压工作范围为-10V至@5V。凭借碳化硅材料的物理特性，器件在高频开关条件下仍能保持较低的导通与开关损耗，适用于高效率电源转换、可再生能源系统及高频电力电子设备。其宽栅压范围增强了驱动兼容性，同时低导通电阻有助于减少发热，提升系统整体可靠性与紧凑性。