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该N沟道碳化硅MOSFET具备99A的连续漏极电流（ID）与650V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为26mΩ，可在-10V至@5V的栅源电压（VGS）范围内可靠运行。器件利用碳化硅材料优势，在高频开关条件下保持较低的导通与开关损耗，适用于对效率、热管理和紧凑布局有较高要求的电源转换及高功率密度系统。
