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该N沟道碳化硅MOSFET具备99A的连续漏极电流（ID）和650V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(on)）为26mΩ，栅源电压（VGS）工作范围为-10V至@5V。得益于碳化硅材料的高击穿场强与热导率，器件在高频开关和高功率密度应用中表现出优异的动态特性和热稳定性。其低导通电阻有助于降低传导损耗，而宽VGS范围则增强了与多种驱动电路的兼容性，适用于高效电源转换、储能系统及类似高要求电力电子场景。
