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该N沟道碳化硅MOSFET具有99A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为650V，导通电阻低至26mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至@5V。凭借碳化硅材料的特性，器件在高频、高温环境下仍能保持优异的开关性能与导通效率，适用于对功率密度和能效要求较高的电力转换系统。其低RDS(on)有助于减少导通损耗，提升整体系统效率，同时宽VGS范围增强了驱动兼容性与可靠性。