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该N沟道碳化硅MOSFET的连续漏极电流（ID）为99A，漏源击穿电压（VDSS）达650V，导通电阻（RDS(ON)）为26mΩ，栅源电压（VGS）工作范围为-10V至@5V。器件基于碳化硅工艺，在高频开关应用中展现出低导通损耗与优异的热性能，适用于高效率、高功率密度的电源系统，如服务器电源、可再生能源转换装置及高频DC-DC变换器等场景。