-------<点击了解更多 + 购买>-------

该N沟道碳化硅MOSFET具有99A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为650V，导通电阻低至26mΩ，栅源电压工作范围为-10V至@5V。得益于碳化硅材料特性，器件在高频开关条件下仍能保持较低的导通与开关损耗，适用于高效率、高功率密度的电源转换场合。其宽栅压范围增强了驱动兼容性，同时有助于提升系统在复杂电气环境下的稳定运行能力。