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该N沟道碳化硅MOSFET额定漏极电流为73A，漏源电压耐受能力达650V，导通电阻典型值为26mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至@5V。器件基于碳化硅材料，具备优异的高频开关性能和较低的导通损耗，适用于高效率电源转换、可再生能源系统及高密度电力电子装置等场景，在提升系统整体能效的同时有助于减小散热设计负担。