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该N沟道碳化硅MOSFET的连续漏极电流（ID）为189A，漏源击穿电压（VDSS）达750V，导通电阻（RDS(ON)）为11mΩ，栅源电压（VGS）工作范围为-8V至@0V。器件基于碳化硅工艺，具备低导通损耗与快速开关特性，适用于高效率电源转换、可再生能源系统及高频电力电子设备。其宽电压驱动能力与高电流承载能力有助于在紧凑布局中实现稳定可靠的功率控制。
