-------<点击了解更多 + 购买>-------

该N沟道碳化硅MOSFET具有750V的漏源击穿电压（VDSS）和189A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(ON)）低至11mΩ，支持-10V至@5V的栅源驱动电压范围。凭借碳化硅材料的高击穿场强与优异热导率，器件在大电流、高电压条件下仍能维持高效开关性能与低导通损耗，适用于高功率密度电源、可再生能源转换系统及对效率和散热要求严苛的电力电子应用。